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SPP80P06PBKSA1
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SPP80P06PBKSA1 数据手册 (9 页)
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SPP80P06PBKSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
极性
P-CH
功耗
340W (Tc)
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
80A
输入电容值(Ciss)
5033pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
340W (Tc)

SPP80P06PBKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

SPP80P06PBKSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.09 MByte
Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.57 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.12 MByte

SPP80P06 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET **Infineon · 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表) · 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准 MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPP80P06P H  晶体管, MOSFET, P沟道, -80 A, -60 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 V
Infineon(英飞凌)
-60V,-80A,P沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
SIPMOSÒ电源晶体管特点增强型额定雪崩 SIPMOSÒ Power-Transistor Features Enhancement mode Avalanche rated
Infineon(英飞凌)
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