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SPS01N60C3 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-251-3

描述:

INFINEON SPS01N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 800 mA, 650 V, 6 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SPS01N60C3 数据手册 (10 页)

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SPS01N60C3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-251-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

6 Ω

极性

N-Channel

功耗

11 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

800 mA

上升时间

25 ns

输入电容值(Ciss)

100pF @25V(Vds)

下降时间

30 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

11W (Tc)

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SPS01N60C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

长度

6.73 mm

宽度

2.38 mm

高度

6.22 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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SPS01N60C3 符合标准

SPS01N60C3 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.77 MByte

SPS01N60C3 产品设计参考手册

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3 页 / 0.36 MByte

SPS01N60C3 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.67 MByte

SPS01N60C3 开发手册

Infineon（英飞凌）

6 页 / 1.89 MByte

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