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SPW11N60S5FKSA1
2.18
SPW11N60S5FKSA1 数据手册 (12 页)
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SPW11N60S5FKSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-247-3
极性
N-CH
功耗
125W (Tc)
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
11A
输入电容值(Ciss)
1460pF @25V(Vds)
工作温度(Min)
-55.0 ℃
耗散功率(Max)
125W (Tc)

SPW11N60S5FKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SPW11N60S5FKSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.89 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
33 页 / 1.03 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

SPW11N60S5 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™S5 功率 MOSFET 系列 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPW11N60S5XK, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
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