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SPW11N80C3XK
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SPW11N80C3XK 数据手册 (10 页)
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SPW11N80C3XK 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-247
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
800 V
连续漏极电流(Ids)
11A

SPW11N80C3XK 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.4 MByte

SPW11N80C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPW11N80C3  功率场效应管, MOSFET, 通用, N沟道, 6 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
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