器件3D模型

￥ 0.679

SQ4936EY-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC

描述:

VISHAY SQ4936EY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 30 V, 0.027 ohm, 10 V, 2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SQ4936EY-T1-GE3 数据手册 (10 页)

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SQ4936EY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.027 Ω

极性

N-Channel

功耗

3.3 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

30 V

工作温度(Max)

175 ℃

SQ4936EY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Cut Tape (CT)

SQ4936EY-T1-GE3 符合标准

SQ4936EY-T1-GE3 数据手册

SQ4936EY-T1-GE3 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

10 页 / 0.24 MByte

SQ4936EYT1 数据手册

SQ4936EY-T1-GE3 数据手册

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VISHAY SQ4936EY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 30 V, 0.027 ohm, 10 V, 2 V

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