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SQD40P10-40L_GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-252

描述:

SQD40P10-40L_GE3 编带

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SQD40P10-40L_GE3 数据手册 (10 页)

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SQD40P10-40L_GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-252

漏源极电阻

48 mΩ

极性

P-CH

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

38A

上升时间

11 ns

输入电容值(Ciss)

4433pF @25V(Vds)

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

136000 mW

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SQD40P10-40L_GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

工作温度

-55℃ ~ 175℃

最小包装数量

2000

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SQD40P10-40L_GE3 符合标准

SQD40P10-40L_GE3 数据手册

VISHAY（威世）

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