￥ 1.613

SQJ463EP-T1_GE3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

封装:

PowerPAKSO-8L-4

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SQJ463EP-T1_GE3 数据手册 (11 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SQJ463EP-T1_GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

5 Pin

封装

PowerPAKSO-8L-4

极性

P-Channel

功耗

83 W

上升时间

17 ns

输入电容值(Ciss)

5875pF @20V(Vds)

下降时间

51 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

83W (Tc)

查看数据手册 >

SQJ463EP-T1_GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

SQJ463EP-T1_GE3 符合标准

SQJ463EP-T1_GE3 数据手册

Vishay Siliconix

11 页 / 0.17 MByte

SQJ463EP-T1_GE3 其他数据使用手册

Vishay Siliconix

11 页 / 0.17 MByte

SQJ463EPT1 数据手册

SQJ463EP-T1 数据手册

VISHAY（威世）

SQJ463EP-T1_GE3 数据手册

VISHAY（威世）

P沟道 40V 30A

SQJ463EP-T1_GE3 数据手册

Vishay Siliconix

SQJ463EP-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

SQJ463EP-T1_GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

SQJ463EP-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SQJ463EP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -18 A, -40 V, 0.008 ohm, -10 V, -2 V

SQJ463EP-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

SQJ463EP-T1"GE3 数据手册

VISHAY（威世）

SQJ463EP-T1"GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

SQJ463EP-T1_GE3 数据手册

Vishay Intertechnology

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号