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SQJ463EP-T1_GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

PowerPAKSO-8L-4

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SQJ463EP-T1_GE3 数据手册 (12 页)

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SQJ463EP-T1_GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerPAKSO-8L-4

通道数

1 Channel

漏源极电阻

0.008 Ω

极性

P-Channel

功耗

83 W

阈值电压

2.5 V

漏源击穿电压

40 V

上升时间

17 ns

输入电容值(Ciss)

4700pF @20V(Vds)

下降时间

51 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

83000 mW

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SQJ463EP-T1_GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Tape & Reel (TR)

高度

1.07 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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SQJ463EP-T1_GE3 符合标准

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12 页 / 0.17 MByte

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