SSM3J02T 数据手册 - Toshiba（东芝）

●最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.2A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 2.1Ω @-100mA,-4V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.6V--1.1V 耗散功率PdPower Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| Power Management Switch High Speed Switching Applications Small Package Low on Resistance : Ron = 0.4 Ω (max) (@VGS = −4 V) Ron = 0.6 Ω (max) (@VGS = −2.5 V) Low Gate Threshold Voltage 描述与应用| 电源管理开关 高速开关应用 小包装 低导通电阻RON =0.4Ω（最大）（@ VGS=-4 V） 罗恩= 0.6Ω（最大）（@ VGS=-2.5 V） 低栅极阈值电压