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SSM3J15FU,LF
0.099
SSM3J15FU,LF 数据手册 (5 页)
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SSM3J15FU,LF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-323-3
功耗
150 mW
漏源极电压(Vds)
30 V
输入电容值(Ciss)
9.1pF @3V(Vds)
额定功率(Max)
150 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150mW (Ta)

SSM3J15FU,LF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
0.9 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SSM3J15FU,LF 数据手册

Toshiba(东芝)
5 页 / 0.23 MByte

SSM3J15 数据手册

Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
SSM3J15FV P沟道MOS场效应管 -30V -100mA/0.1A 8ohm SOT-523 marking/标记 DQ 高速开关 模拟开关 低导通电阻
Toshiba(东芝)
SSM3J15FS P沟道MOS场效应管 -30V -100mA/0.1A 8ohm SOT-523 marking/标记 DQ 高速开关 模拟开关 低导通电阻
Toshiba(东芝)
SSM3J15F P沟道MOS场效应管 -30V -100mA/0.1A 8ohm SOT-23 marking/标记 DQ 高速开关 模拟开关 低导通电阻
Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
SSM3J15TE P沟道MOS场效应管 -20V -100mA/0.1A 6ohm SOT-523 marking/标记 DQ 高速开关 模拟开关 低导通电阻
Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
TOSHIBA  SSM3J15TE(TE85L,F)  晶体管, MOSFET, P沟道, 100 mA, -30 V, 12 ohm, -4 V, -1.7 V
Toshiba(东芝)
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