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SSM3J16TE
0.131
SSM3J16TE 数据手册 (5 页)
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SSM3J16TE 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TESM
极性
P-CH
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
0.1A

SSM3J16TE 数据手册

Toshiba(东芝)
5 页 / 0.17 MByte

SSM3J16 数据手册

Toshiba(东芝)
TOSHIBA  SSM3J16FS(TE85L,F)  晶体管, MOSFET, P沟道, 100 mA, -20 V, 8 ohm, -4 V, 1.1 V
Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
SSM3J16FV P沟道MOS场效应管 -30V -100mA/0.1A 8ohm SOT-523 marking/标记 DT 高速开关 模拟开关 低导通电阻
Toshiba(东芝)
SSM3J16CT(TPL3) 编带
Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
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