SSM3K02T 数据手册 - Toshiba（东芝）

●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 10V 最大漏极电流Id Drain Current| 2.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.2Ω/Ohm @1250mA,4V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.6-1.1V 耗散功率Pd Power Dissipation| 1.25W Description & Applications| TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications High Speed Switching Applications Small Package Low on Resistance : Ron = 120 mΩ (max) (@VGS = 4 V) : Ron = 150 mΩ (max) (@VGS = 2.5V) Low Gate Threshold Voltage: Vth = 0.6~1.1 V (@VDS = 3 V, ID = 0.1 mA) 描述与应用| 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 高速开关应用 高速开关应用 小包装 低导通电阻RON =120MΩ（最大）（@ VGS=4V） ：RON =150MΩ（最大）（@ VGS=2.5 V） 低栅极阈值电压VTH =0.6〜1.1 V（@ VDS=3 V，ID= 0.1毫安）