￥ 0.093

SSM3K09FU,LF 数据手册 - Toshiba（东芝）

制造商:

Toshiba（东芝）

分类:

MOS管

封装:

SOT-323-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SSM3K09FU,LF 数据手册 (5 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SSM3K09FU,LF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-323-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

500 mΩ

功耗

150 mW

阈值电压

1.1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

输入电容值(Ciss)

20pF @5V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

150mW (Ta)

查看数据手册 >

SSM3K09FU,LF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

2 mm

宽度

1.25 mm

高度

0.9 mm

工作温度

150 ℃

查看数据手册 >

SSM3K09FU,LF 符合标准

SSM3K09FU,LF 概述

SSM3K09FU,LF 数据手册

Toshiba（东芝）

5 页 / 0.2 MByte

SSM3K09FU,LF 其他数据使用手册

Toshiba（东芝）

6 页 / 0.2 MByte

SSM3K09 数据手册

SSM3K09FU,LF 数据手册

Toshiba（东芝）

SSM3K09FU(TE85L,F) 数据手册

Toshiba（东芝）

TOSHIBA SSM3K09FU(TE85L,F) 晶体管, MOSFET, N沟道, 400 mA, 30 V, 700 mohm, 10 V, 1.8 V

SSM3K09FU 数据手册

Toshiba（东芝）

SSM3K09FU N沟道MOSFET 20V 400mA/0.4A SOT-323/SC-70/USM marking/标记 DJ ESD保护/低导通电阻/高速开关

SSM3K09FU(TE85L) 数据手册

Toshiba（东芝）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号