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SSM3K16CT(TPL3)
0.02

SSM3K16CT(TPL3) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-3
极性
N-CH
功耗
100 mW
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
0.1A
输入电容值(Ciss)
9.3pF @3V(Vds)
额定功率(Max)
100 mW
耗散功率(Max)
100mW (Ta)

SSM3K16CT(TPL3) 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
1 mm
宽度
0.6 mm
高度
0.38 mm
工作温度
150℃ (TJ)

SSM3K16CT(TPL3) 数据手册

Toshiba(东芝)
5 页 / 0.17 MByte
Toshiba(东芝)
6 页 / 0.19 MByte
Toshiba(东芝)
5 页 / 0.14 MByte

SSM3K16 数据手册

Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
TOSHIBA  SSM3K16FU(TE85L,F)  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 20 V, 3 ohm, 4 V, 1.1 V
Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
SSM3K16FU N沟道MOSFET 20V 100mA/0.1A SOT-323/SC-70/USM marking/标记 DS ESD保护
Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
N沟道 20V 100A
Toshiba(东芝)
SSM3K16TE N沟道场效应管 20V 0.1A SOT523 代码 DS  高速开关 模拟开关
Toshiba(东芝)
SSM3K16FS N沟道MOSFET 20V 100mA/0.1A SOT-523/SSM marking/标记 DS ESD保护
Toshiba(东芝)
SSM3K16FV N沟道MOSFET 20V 100mA/0.1A SOT-323/SC-70/USM marking/标记 DS
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