●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 200mA/0.2A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 2.0Ω/Ohm 2.5A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.5-3.1V 耗散功率Pd Power Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| High-Speed Switching Applications Analog Switch Applications • Small package • Low ON-resistance : RDS(ON) = 3.3Ω (max) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 2.6 Ω (max) (@VGS = 5 V) RDS(ON) = 2.1 Ω (max) (@VGS = 10V) 描述与应用| 高速开关应用 模拟开关应用 •小型封装 •低导通电阻RDS（ON）= 3.3Ω（最大）（@ VGS= 4.5 V） RDS（ON）=2.6（最大值）（@ VGS=5 V） RDS（ON）=2.1Ω（最大值）（@ VGS=10 V）
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60V,200mA,硅N沟道MOSFET
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表面贴装型-N-通道-60V-400mA（Ta）-270mW（Ta）-S-Mini
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TOSHIBA SSM3K7002F(T5L,F,T 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 2.5 V
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