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SSN1N45BBU 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-226-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SSN1N45BBU 数据手册 (10 页)

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SSN1N45BBU 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-226-3

功耗

900mW (Ta)

漏源极电压(Vds)

450 V

输入电容值(Ciss)

240pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)

900mW (Ta)

SSN1N45BBU 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SSN1N45BBU 符合标准

SSN1N45BBU 数据手册

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