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SSP2N60B
0.17
SSP2N60B 数据手册 (10 页)
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SSP2N60B 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
漏源极电阻
5.00 Ω
极性
N-Channel
功耗
54 W
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
600 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
2.00 A
上升时间
50 ns
下降时间
40 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

SSP2N60B 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
4.7 mm
高度
16.3 mm

SSP2N60B 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.95 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.83 MByte

SSP2N60 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET
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