●最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 25v
●\---|---
●栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage| -25v
●漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current| 12~60ma
●关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage| -1~-6.5v
●耗散功率PdPower Dissipation| 350mW/0.35W
●Description & Applications| •N–Channel JFETs •Excellent High Frequency Gain:Gps 11.5 dB @ 450 MHz •Very Low Noise: 2.7 dB @ 450 MHz •Very Low Distortion •High ac/dc Switch Off-Isolation
●描述与应用| •N沟道JFETs •优秀的高频增益：GPS11.5分贝@450兆赫 •非常低噪声：2.7分贝@450兆赫 •非常低的失真 •高AC / DC开关关断隔离
VISHAY（威世）
8 页 / 0.11 MByte
VISHAY（威世）
117 页 / 1.06 MByte
VISHAY（威世）
7 页 / 0.05 MByte
VISHAY（威世）
16 页 / 1.32 MByte
器件 Datasheet 文档搜索
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
