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STAC2932F
73.15
STAC2932F 数据手册 (14 页)
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STAC2932F 技术参数、封装参数

类型
描述
频率
175 MHz
引脚数
4 Pin
漏源极电压(Vds)
125 V
输出功率
390 W
增益
20 dB
测试电流
250 mA
额定电压
125 V

STAC2932F 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
14 页 / 0.31 MByte

STAC2932 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
HF / VHF / UHF射频功率N沟道MOSFET HF/VHF/UHF RF power N-channel MOSFETs
ST Microelectronics(意法半导体)
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 20dB 175MHz N-Ch
ST Microelectronics(意法半导体)
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 20dB 175MHz N-Ch
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