￥ 1.089

STB100NH02LT4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N沟道24V - 0.0052ohm - 60A D2PAK的STripFET TM III功率MOSFET N-CHANNEL 24V - 0.0052ohm - 60A D2PAK STripFET TM III POWER MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STB100NH02LT4 数据手册 (13 页)

封装尺寸在9 页 10 页

STB100NH02LT4 数据手册 (13 页)

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STB100NH02LT4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

24.0 V

额定电流

60.0 A

封装

TO-263-3

漏源极电阻

11.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

100W (Tc)

漏源极电压(Vds)

24 V

漏源击穿电压

24.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

60.0 A

上升时间

75 ns

输入电容值(Ciss)

2850pF @15V(Vds)

下降时间

18 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

100W (Tc)

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STB100NH02LT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STB100NH02LT4 符合标准