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STB11N52K3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

STMICROELECTRONICS STB11N52K3 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 525 V, 0.41 ohm, 10 V, 3.75 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STB11N52K3 数据手册 (19 页)

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STB11N52K3 数据手册 (19 页)

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STB11N52K3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.41 Ω

极性

N-Channel

功耗

125 W

阈值电压

3.75 V

漏源极电压(Vds)

525 V

上升时间

18 ns

输入电容值(Ciss)

1400pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

125 W

下降时间

42 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

125W (Tc)

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STB11N52K3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STB11N52K3 符合标准

STB11N52K3 概述

STB11N52K3 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 1.18 MByte

STB11N52K3 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

3 页 / 0.31 MByte

STB11N52K3 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

20 页 / 1.12 MByte

STB11N52K3 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

10 页 / 0.75 MByte

STB11N52 数据手册

STB11N52K3 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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