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STB120NH03LT4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

D2PAK

描述:

N沟道30V - 0.005 W¯¯ - 60A D2PAK的STripFET III功率MOSFET用于DC- DC转换器 N-CHANNEL 30V - 0.005 W - 60A D2PAK STripFET III POWER MOSFET FOR DC-DC CONVERSION

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焊盘图

引脚图

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STB120NH03LT4 数据手册 (17 页)

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STB120NH03LT4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

D2PAK

漏源极电阻

10.5 mΩ

极性

N-Channel

功耗

115 W

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

9.00 A

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STB120NH03LT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

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STB120NH03LT4 符合标准

STB120NH03LT4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.49 MByte

STB120NH03 数据手册

STB120NH03LT4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道30V - 0.005 W¯¯ - 60A D2PAK的STripFET III功率MOSFET用于DC- DC转换器 N-CHANNEL 30V - 0.005 W - 60A D2PAK STripFET III POWER MOSFET FOR DC-DC CONVERSION

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