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STB12NM50ND 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N沟道500V ， 0.29欧姆， 11A ， FDmesh II功率MOSFET （具有快速二极管）的D2PAK ， DPAK ， TO- 220FP N-channel 500V, 0.29 OHM, 11A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, DPAK, TO-220FP

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STB12NM50ND 数据手册 (16 页)

封装尺寸在10 页 11 页 12 页

STB12NM50ND 数据手册 (16 页)

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STB12NM50ND 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

380 mΩ

极性

N-CH

功耗

100 W

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

连续漏极电流(Ids)

11A

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

850pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

100 W

下降时间

17 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

100W (Tc)

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STB12NM50ND 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

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STB12NM50ND 符合标准

STB12NM50ND 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.99 MByte

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N-二CHANNEL500V - 0.32ohm - 12ATO -220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 FDmesh⑩功率MOSFET，快速二极管 N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET with FAST DIODE

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N沟道500V - 0.32ヘ - 12A - TO- 220 / FP - D2 / I2PAK - TO- 247 FDmesh⑩功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 500V - 0.32ヘ - 12A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET (with fast diode)

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