￥ 2.573

STB14NM65N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N沟道650 V， 0.33 Ω ， 12一个的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， D2PAK ， I2PAK ， TO- 247 N-channel 650 V, 0.33 Ω, 12 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STB14NM65N 数据手册 (18 页)

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STB14NM65N 数据手册 (18 页)

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STB14NM65N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

极性

N-CH

功耗

125W (Tc)

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

12A

上升时间

13 ns

输入电容值(Ciss)

1300pF @50V(Vds)

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

125W (Tc)

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STB14NM65N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

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STB14NM65N 符合标准

STB14NM65N 概述

STB14NM65N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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