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STB185N10F3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

封装:

D2PAK

描述:

N沟道100 V， 4.0毫欧， 120 A， D2PAK ， TO- 220的STripFET ™功率MOSFET N-channel 100 V, 4.0 mΩ, 120 A, D2PAK, TO-220 STripFET™ Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STB185N10F3 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

D2PAK

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

120A

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

ST Microelectronics（意法半导体）

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ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道100 V， 4.0毫欧， 120 A， D2PAK ， TO- 220的STripFET ™功率MOSFET N-channel 100 V, 4.0 mΩ, 120 A, D2PAK, TO-220 STripFET™ Power MOSFET

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