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STB18N60DM2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N 通道 MDmesh DM2 系列，STMicroelectronicsMDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDS(on) 和改进的二极管反向恢复时间，可提高效率，此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。高 dV/dt 能力，可提高系统可靠性符合 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STB18N60DM2 数据手册 (16 页)

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STB18N60DM2 数据手册 (16 页)

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STB18N60DM2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.26 Ω

极性

N-Channel

功耗

90 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

12A

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

800pF @100V(Vds)

下降时间

32.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

90W (Tc)

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STB18N60DM2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

9.35 mm

宽度

10.4 mm

高度

4.6 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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STB18N60DM2 符合标准

STB18N60DM2 概述