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STB190NF04T4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N沟道40V - 0.0039ohm - 120A - D2PAK / I2PAK / TO- 220的STripFET TM III功率MOSFET N-channel 40V - 0.0039ohm - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET TM III Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STB190NF04T4 数据手册 (16 页)

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STB190NF04T4 数据手册 (16 页)

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STB190NF04T4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

40.0 V

额定电流

120 A

封装

TO-263-3

漏源极电阻

4.30 mΩ

极性

N-Channel

功耗

310W (Tc)

漏源极电压(Vds)

40 V

漏源击穿电压

40.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

120 A

输入电容值(Ciss)

5800pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)

310W (Tc)

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STB190NF04T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STB190NF04T4 符合标准