￥ 3.796

STB200N4F3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N沟道40V - 0.0035ヘ - 120A - D2PAK - TO- 220平面STripFET⑩功率MOSFET N-channel 40V - 0.0035ヘ - 120A - D2PAK - TO-220 planar STripFET⑩ Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STB200N4F3 数据手册 (14 页)

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STB200N4F3 数据手册 (14 页)

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STB200N4F3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

3.1 mΩ

极性

N-Channel

功耗

300 W

漏源极电压(Vds)

40 V

漏源击穿电压

40 V

连续漏极电流(Ids)

60.0 A

上升时间

180 ns

输入电容值(Ciss)

5100pF @25V(Vds)

下降时间

65 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

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STB200N4F3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.4 mm

宽度

9.35 mm

高度

4.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STB200N4F3 符合标准