STB200NF04L-1

￥ 1.95

STB200NF04L-1 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-262-3

描述:

N沟道40V - 3兆欧姆 - 120 A TO - 220 / D2PAK / I2PAK的STripFET II MOSFET N-CHANNEL 40V - 3 m ohm - 120 A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET II MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STB200NF04L-1 数据手册 (12 页)

原理图在1 页

STB200NF04L-1 数据手册 (12 页)

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STB200NF04L-1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-262-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

4.6 mΩ

功耗

300 W

漏源极电压(Vds)

40 V

漏源击穿电压

40 V

上升时间

270 ns

输入电容值(Ciss)

6400pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

300 W

下降时间

80 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

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STB200NF04L-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

长度

10 mm

宽度

4.4 mm

高度

8.95 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STB200NF04L-1 符合标准

STB200NF04L-1 数据手册

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