￥ 2.442

STB20NM50-1 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-262-3

描述:

N沟道500V - 0.20ヘ - 20A - TO220 / FP- D2PAK - I2PAK MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.20ヘ - 20A - TO220/FP-D2PAK-I2PAK MDmesh⑩ Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STB20NM50-1 数据手册 (14 页)

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STB20NM50-1 数据手册 (14 页)

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STB20NM50-1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

550 V

额定电流

20.0 A

封装

TO-262-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

250 mΩ

极性

N-Channel

功耗

192 W

输入电容

1.48 nF

栅电荷

56.0 nC

漏源极电压(Vds)

550 V

漏源击穿电压

500 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

20.0 A

上升时间

16 ns

输入电容值(Ciss)

1480pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

192 W

下降时间

8.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

65 ℃

耗散功率(Max)

192W (Tc)

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STB20NM50-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

长度

10 mm

宽度

4.4 mm

高度

8.95 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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STB20NM50-1 符合标准

STB20NM50-1 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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