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STB20NM60A-1
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STB20NM60A-1 数据手册 (8 页)
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STB20NM60A-1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
I2PAK
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
20A

STB20NM60A-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube, Rail

STB20NM60A-1 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
8 页 / 0.17 MByte

STB20NM60 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 仅为0.25mΩ - 20A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK的MDmesh功率MOSFET ? N-CHANNEL 600V - 0.25ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STB20NM60D系列 N沟道 600 V 0.26 Ohm FDmesh™ 功率MOSFET - D2PAK-3
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 仅为0.25mΩ - 20A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK的MDmesh功率MOSFET ? N-CHANNEL 600V - 0.25ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 0.25ヘ - 20A - TO- 247 - TO- 220 / FP - D2 / I2PAK MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.25ヘ - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAK MDmesh⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道650V @ TJMAX - 0.25欧姆 - 20A IPAK / TO- 220 / TO- 220FP N-CHANNEL 650V@Tjmax - 0.25 Ohm - 20A IPAK/TO-220/TO-220FP
ST Microelectronics(意法半导体)
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