￥ 1.902

STB20NM60D 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

STB20NM60D系列 N沟道 600 V 0.26 Ohm FDmesh™ 功率MOSFET - D2PAK-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STB20NM60D 数据手册 (13 页)

封装尺寸在9 页 10 页

STB20NM60D 数据手册 (13 页)

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STB20NM60D 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

功耗

192 W

漏源极电压(Vds)

600 V

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

1300pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

192 W

下降时间

22 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

192W (Tc)

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STB20NM60D 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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STB20NM60D 符合标准

STB20NM60D 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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