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STB23NM60N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N沟道600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO- 220 / FP TO- 247 ，第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh? Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STB23NM60N 数据手册 (19 页)

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STB23NM60N 数据手册 (19 页)

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STB23NM60N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

功耗

150W (Tc)

漏源极电压(Vds)

600 V

输入电容值(Ciss)

2050pF @50V(Vds)

耗散功率(Max)

150W (Tc)

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STB23NM60N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

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STB23NM60N 符合标准

STB23NM60N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 0.54 MByte

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ST Microelectronics（意法半导体）

22 页 / 1.07 MByte

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