￥ 1.372

STB24N60M6 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

封装:

D2PAK-263

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 600 V, 0.19 ohm, 10 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STB24N60M6 数据手册

暂未收录 STB24N60M6 的数据手册

登录以发送补充文档请求

STB24N60M6 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

D2PAK-263

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.19 Ω

功耗

130 W

漏源极电压(Vds)

600 V

上升时间

32 ns

输入电容值(Ciss)

960pF @100V(Vds)

下降时间

9 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

130000 mW

STB24N60M6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

STB24N60M6 符合标准

STB24N60M6 数据手册

STB24N60M6 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.42 MByte

STB24N60 数据手册

STB24N60DM2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

场效应管(MOSFET) STB24N60DM2 D2PAK

STB24N60M2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性，非常适合用于谐振型开关电源（LLC 转换器）。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STB24N60M6 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

晶体管, MOSFET, N沟道, 600 V, 0.19 ohm, 10 V

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号