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STB28NM50N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

STMICROELECTRONICS STB28NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STB28NM50N 数据手册 (21 页)

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STB28NM50N 数据手册 (21 页)

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STB28NM50N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.135 Ω

极性

N-Channel

功耗

150 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

500 V

连续漏极电流(Ids)

21A

上升时间

19 ns

输入电容值(Ciss)

1735pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

90 W

下降时间

52 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

150W (Tc)

查看数据手册 >

STB28NM50N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

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STB28NM50N 符合标准

STB28NM50N 海关信息

STB28NM50N 概述

STB28NM50N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

21 页 / 0.93 MByte

STB28NM50N 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

3 页 / 0.31 MByte

STB28NM50N 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

10 页 / 0.75 MByte

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STB28NM50N 数据手册

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