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STB30N80K5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

封装:

TO-263-3

描述:

场效应管(MOSFET) STB30N80K5 D2PAK(TO-263)

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STB30N80K5 数据手册 (16 页)

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STB30N80K5 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

功耗

250000 mW

上升时间

15 ns

最小反向击穿电压

800 V

输入电容值(Ciss)

1530pF @100V(Vds)

下降时间

13.5 ns

下降时间(Max)

13.5 ns

上升时间(Max)

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

250000 mW

STB30N80K5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

STB30N80K5 符合标准

STB30N80K5 概述

STB30N80K5 数据手册

STB30N80K5 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

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STB30N80 数据手册

STB30N80K5 数据手册

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场效应管(MOSFET) STB30N80K5 D2PAK(TO-263)

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