￥ 3.056

STB33N60M2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N 沟道 600 V 26 A 0.125 Ohm MDmesh II Plus Mosfet - D2PAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STB33N60M2 数据手册 (16 页)

封装尺寸在13 页

STB33N60M2 数据手册 (16 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STB33N60M2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

125 mΩ

极性

N-CH

功耗

190 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

650 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

26A

上升时间

9.6 ns

输入电容值(Ciss)

1781pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

190 W

下降时间

9 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

190W (Tc)

查看数据手册 >

STB33N60M2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

STB33N60M2 符合标准

STB33N60M2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 1 MByte

STB33N60M2 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 1 MByte

STB33N60M2 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

15 页 / 1.02 MByte

STB33N60 数据手册

STB33N60M2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N 沟道 600 V 26 A 0.125 Ohm MDmesh II Plus Mosfet - D2PAK

STB33N60DM2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STB33N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 24 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V 新

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号