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STB34NM60N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STB34NM60N 数据手册 (21 页)

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STB34NM60N 数据手册 (21 页)

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STB34NM60N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

漏源极电阻

0.092 Ω

极性

N-Channel

功耗

210 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

29A

上升时间

34 ns

输入电容值(Ciss)

2722pF @100V(Vds)

下降时间

70 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

250W (Tc)

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STB34NM60N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.4 mm

宽度

9.35 mm

高度

4.6 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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STB34NM60N 符合标准

STB34NM60N 概述

STB34NM60N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

21 页 / 1.21 MByte

STB34NM60N 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

21 页 / 1.2 MByte

STB34NM60N 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

10 页 / 0.75 MByte

STB34NM60 数据手册

STB34NM60ND 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STB34NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.097 ohm, 10 V, 4 V

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