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STB40N20
2.03
STB40N20 数据手册 (18 页)
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STB40N20 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
200 V
额定电流
40.0 A
封装
TO-263-3
漏源极电阻
38.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
160W (Tc)
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
200 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
40.0 A
上升时间
44 ns
输入电容值(Ciss)
2500pF @25V(Vds)
下降时间
24 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
160W (Tc)

STB40N20 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STB40N20 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
18 页 / 0.48 MByte

STB40 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STB40NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 28 mohm, 10 V, 2.8 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STB40NF10LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.7 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STB40NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
600V,34A,N沟道功率MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道200V - 0.038欧姆 - 40A TO- 220 / TO- 247 / D2PAK低栅电荷的STripFET MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
SMC Diode Solutions
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道100V - 0.028ohm - 40A D2PAK低栅电荷STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 100V - 0.028ohm - 40A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道150V - 0.045Î © - 40A - D2PAK MESH OVERLAYâ ?? ¢功率MOSFET N-channel 150V - 0.045Ω - 40A - D2PAK MESH OVERLAY™ Power MOSFET
SMC Diode Solutions
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