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STB50NE10LT4
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STB50NE10LT4 数据手册
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STB50NE10LT4 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
D2PAK
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
50A

STB50NE10LT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

STB50NE10LT4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
9 页 / 0.31 MByte

STB50NE10 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 100V - 0.02ohm - 50A - D2PAK的STripFET ] POWER MOSFET N - CHANNEL 100V - 0.02ohm - 50A - D2PAK STripFET] POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道100V - 0.021ヘ - 50A - D2PAK STripFET⑩功率MOSFET N-channel 100V - 0.021ヘ - 50A - D2PAK STripFET⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道100V - 0.021ヘ - 50A - D2PAK STripFET⑩功率MOSFET N-channel 100V - 0.021ヘ - 50A - D2PAK STripFET⑩ Power MOSFET
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