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STB50NF25
3.318
STB50NF25 数据手册 (14 页)
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STB50NF25 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
55 mΩ
极性
N-Channel
功耗
160 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
250 V
漏源击穿电压
250 V
连续漏极电流(Ids)
22.0 A
上升时间
26 ns
输入电容值(Ciss)
2670pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
160 W
下降时间
20 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
160W (Tc)

STB50NF25 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.4 mm
宽度
9.35 mm
高度
4.6 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STB50NF25 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
14 页 / 0.33 MByte

STB50 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STB50NF25  晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 250 V, 55 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道100V - 0.021ヘ - 50A - D2PAK STripFET⑩功率MOSFET N-channel 100V - 0.021ヘ - 50A - D2PAK STripFET⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 100V - 0.02ohm - 50A - D2PAK的STripFET ] POWER MOSFET N - CHANNEL 100V - 0.02ohm - 50A - D2PAK STripFET] POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道100V - 0.021ヘ - 50A - D2PAK STripFET⑩功率MOSFET N-channel 100V - 0.021ヘ - 50A - D2PAK STripFET⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N - 沟道增强型“单一特征尺寸” POWER MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ” SINGLE FEATURE SIZE ” POWER MOSFET
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