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STB55NF03LT4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

STMICROELECTRONICS STB55NF03LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 27.5 A, 30 V, 10 mohm, 10 V, 1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STB55NF03LT4 数据手册 (11 页)

原理图在1 页

STB55NF03LT4 数据手册 (11 页)

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STB55NF03LT4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

10 mΩ

极性

N-Channel

功耗

80 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±16.0 V

连续漏极电流(Ids)

27.5 A

上升时间

400 ns

输入电容值(Ciss)

1265pF @25V(Vds)

下降时间

50 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-60 ℃

耗散功率(Max)

80000 mW

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STB55NF03LT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-60℃ ~ 175℃

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STB55NF03LT4 符合标准

STB55NF03LT4 概述

STB55NF03LT4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

11 页 / 0.33 MByte

STB55NF03LT4 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

15 页 / 0.49 MByte

STB55NF03LT4 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

5 页 / 0.04 MByte

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