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STB5NK50Z-1 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-262-3

描述:

N沟道500V - 1.22Ω - 4.4A TO- 220 / FP -D / IPAK - D2 / I2PAK齐纳保护的超网MOSFET ？ N-CHANNEL 500V - 1.22Ω - 4.4A TO-220/FP-D/IPAK-D2/I2PAK Zener-Protected SuperMESH™MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STB5NK50Z-1 数据手册 (17 页)

原理图在1 页

STB5NK50Z-1 数据手册 (17 页)

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STB5NK50Z-1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-262-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

1.5 Ω

极性

N-CH

功耗

70 W

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

连续漏极电流(Ids)

4.4A

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

535pF @25V(Vds)

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

70W (Tc)

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STB5NK50Z-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10 mm

宽度

4.4 mm

高度

8.95 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STB5NK50Z-1 符合标准