￥ 0.89

STB60N55F3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STB60N55F3 数据手册 (20 页)

封装尺寸在10 页 11 页 12 页 13 页 14 页 15 页 16 页

STB60N55F3 数据手册 (20 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STB60N55F3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

8.5 mΩ

极性

N-Channel

功耗

110 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

55 V

漏源击穿电压

55 V

连续漏极电流(Ids)

56.0 A, 80.0 A

上升时间

50 ns

输入电容值(Ciss)

2200pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

110 W

下降时间

11.5 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

110W (Tc)

查看数据手册 >

STB60N55F3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.75 mm

宽度

10.4 mm

高度

4.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

STB60N55F3 符合标准

STB60N55F3 海关信息

STB60N55F3 概述