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STB6NC90Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

封装:

D2PAK

描述:

N沟道900V - 1.55ohm - 5.4A TO- 220 / FP / DPAK / IPAK齐纳保护PowerMESH⑩III MOSFET N-CHANNEL 900V - 1.55ohm - 5.4A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

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STB6NC90Z 数据手册

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STB6NC90Z 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

D2PAK

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

900 V

连续漏极电流(Ids)

5.4A

STB6NC90Z 符合标准

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