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STB6NK90Z
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STB6NK90Z 数据手册 (12 页)
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STB6NK90Z 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
D2PAK
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
900 V
连续漏极电流(Ids)
5.8A

STB6NK90Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

STB6NK90Z 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
12 页 / 0.68 MByte

STB6NK90 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STB6NK90ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 900 V, 1.56 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道900V - 1.56Ω - 5.8A - TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / TO- 247齐纳保护超网™功率MOSFET N-channel 900V - 1.56ヘ - 5.8A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/TO-247 Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFET
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