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STB75NH02LT4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N沟道24V - 0.0062ohm - 60A - D2PAK的STripFET TM III功率MOSFET N-Channel 24V - 0.0062ohm - 60A - D2PAK STripFET TM III Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STB75NH02LT4 数据手册 (13 页)

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STB75NH02LT4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

24.0 V

额定电流

75.0 A

封装

TO-263-3

漏源极电阻

8.00 mΩ

极性

N-Channel

功耗

80W (Tc)

漏源极电压(Vds)

24 V

漏源击穿电压

24.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

75.0 A

输入电容值(Ciss)

2050pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

80 W

耗散功率(Max)

80W (Tc)

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STB75NH02LT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Cut Tape (CT)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STB75NH02LT4 符合标准

STB75NH02LT4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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