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STB7NK80Z-1 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-262-3

描述:

N沟道800V - 1.5ヘ - 5.2A - TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 800V - 1.5ヘ - 5.2A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STB7NK80Z-1 数据手册 (17 页)

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STB7NK80Z-1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-262-3

极性

N-CH

功耗

125 W

漏源极电压(Vds)

800 V

连续漏极电流(Ids)

5.2A

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

1138pF @25V(Vds)

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

125W (Tc)

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STB7NK80Z-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STB7NK80Z-1 符合标准

STB7NK80Z-1 概述

STB7NK80Z-1 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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