￥ 0

STB80NF03L-04 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N沟道30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STB80NF03L-04 数据手册 (8 页)

原理图在1 页

STB80NF03L-04 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STB80NF03L-04 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

漏源极电阻

4.00 mΩ

极性

N-Channel

功耗

300 W

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

80.0 A

上升时间

270 ns

输入电容值(Ciss)

5500pF @25V(Vds)

下降时间

95 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

300000 mW

查看数据手册 >

STB80NF03L-04 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

查看数据手册 >

STB80NF03L-04 符合标准

STB80NF03L-04 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

8 页 / 0.05 MByte

STB80NF03 数据手册

STB80NF03L-04T4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET

STB80NF03L-04-1 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道30V - 0.0035 W¯¯ - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220的STripFET ™II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0035 W - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET™ II POWER MOSFET

STB80NF03L-04 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号