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STB80NF55-06-1
1.252
STB80NF55-06-1 数据手册 (17 页)
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STB80NF55-06-1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-262-3
通道数
1 Channel
极性
N-CH
功耗
300 W
漏源极电压(Vds)
55 V
连续漏极电流(Ids)
80A
上升时间
155 ns
输入电容值(Ciss)
4400pF @25V(Vds)
下降时间
65 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300W (Tc)

STB80NF55-06-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
高度
8.95 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STB80NF55-06-1 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
17 页 / 0.42 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
18 页 / 0.41 MByte

STB80 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STB80NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
200V,0.019Ω,65A,N沟道功率MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STB80NF55-08T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 16 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STB80NF55-06T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道 55V 80A
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道55V - 0.005 ? - 80A - TO- 220 / FP - I2PAK - D2PAK的STripFET ?二功率MOSFET N-channel 55V - 0.005Ω - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAK STripFET™ II Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道55V - 0.0065欧姆 - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 55V - 0.0065 ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET
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